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万万没想到:内存条已达物理极限!

发布时间:2019-06-08 10:36 来源:未知 编辑:admin

  三星电子为了巩固存储器霸业,制定DRAM发展蓝图,擘划制程微缩进度。业界预估,

  韩媒etnews18日报导,业界消息称,三星去年开始量产18纳米DRAM,目前正研发17纳米DRAM,预定今年底完成开发、明年量产。与此同时,三星也成立16纳米DRAM开发小组,目标最快2020年量产。相关人士透露,微缩难度高,2020年量产时间可能延后。

  三星从20纳米制程(28→25→20),转进10纳米制程(18→17),缩小线宽(Line-width)的速度明显放缓。三星尚未成立15纳米制程以下的研发团队,因为由此开始,电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显,需要开发新的材质。

  三星设备解决方案部门的半导体实验室人员JungEun-seung说,为了继续缩小线宽,必须开发与当前不同的新材质,并提高制程稳定性,以便进入量产。

  业界人士估计,15纳米或许是制程微缩的极限,未来三星可能难以透过制程微缩拉大与对手差距,并担忧中国业者急起直追,赶上三星。

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